DDR4内存全景解析
从SDRAM到DDR、再到DDR2、再到目前的DDR3，每一代内存都要横跨多代PC平台。当前主流的DDR3内存规范于2007年6月由JEDEC确定，经过长时间的发展，DDR3已经彻底取代了前代产品DDR2，成为市场主流。在5年后的2012年下半年，JEDEC又发布了新的DDR4规范，DDR4也将像DDR3取代DDR2那样，慢慢走入我们的PC，成为未来PC的主流内存规范。那么DDR4有哪些优异特性呢？它和当前主流的DDR3又有什么不同呢？今天本文就将为你揭示其中的奥秘。
内存算是目前PC中没有竞争性的部件。内存和显卡、CPU等有充分竞争的产品不同，业内组织JEDEC是目前PC内存规范的唯一制定厂商。JEDEC的内存规范极其详尽甚至事无巨细，包括芯片设计、PCB层数、频率等重要参数，各家内存厂商几乎没有太多的技术发挥空间。因此内存无论是发展速度还是产品本身的规格、技术，都一直处于JEDEC的“强力控制”之下。在DDR3内存还未全面成熟之时，JEDEC就开始考虑下一代DDR4内存的规范情况，并在2010年就公布了部分DDR4的内存资料，终在2012年下半年发布了DDR4内存的白皮书，并有部分内存厂商进入了DDR4内存的试产阶段。
DDR4的下方金手指并非是平直的。
DDR4的尺寸和DDR3看起来没有太大差别。
变弯了——DDR4的硬件外观改进
对大部分消费者来说，内存的技术升级是看不到也摸不着的，但是内存外观的变化却是实实在在的。DDR4相比DDR3，在外观上做出了很多改进。
首先，DDR4内存的金手指呈弯曲状。在外观上，传统内存的金手指都是平直的，没有任何弧度。这样的设计在生产和加工时比较方便。从结构来看，内存插入插槽后，除了依靠金属弹片和本身所带来的摩擦力固定外，插槽上还有两个卡口将内存卡紧。因此内存插槽的结构稳定性极为优秀，在实际使用中，全部平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况—甚至优秀得有点“过分”，这也导致内存的易用性表现存在一定的瑕疵。
来自JEDEC有关DDR4尺寸的详细说明。
为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输稳定无虞，又可以让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。唯一的问题在于圆弧形的设计增加了PCB加工的难度，在DDR4生产的早期有可能影响产品的价格和产量。
其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，比DDR3的240个要多，每一个触点的间距从1毫米缩减到0.85毫米，因此长度基本不变。笔记本电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，触点间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米，长度相比触点只有204个SO-DIMM DDR3内存也没有太大的变化。
第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也为未来的发展做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，PCB的厚度也略微增加了0.2毫米。至于在长度和高度上，为了在PCB上容纳双层芯片，因此高度略有增高，长和宽分别增加了0.9毫米和1毫米，达到了68.6毫米长和31.25毫米高。不过仅仅从外观看，不经过仔细对比的话，是不会发现DDR4和DDR3在长宽高上太过明显的区别的。因此DDR4依旧可以使用DDR3的包装材料，这为厂商节约了不少的费用。
一切以速度为核心—DDR4新技术全面看
内存发展的核心目标就是不断提升速度。DDR4需要在预取数没有改变的情况下，将等效频率从DDR4 1600起，短期内提升至DDR4 3200，未来会进一步发展到DDR4 4266及以上。当然，从目前来看，DDR4 1600相比DDR3 1600来说，数据并不太好看，这是因为DDR4标准制定比较早，当时没有预计到DDR3会如此迅速的发展到DDR3 1600乃至DDR3 1800和DDR3 2133，因此DDR4起点似乎有点低了。不过DDR3发展至DDR31866以上时，良率严重下降，功耗变高，进一步提升频率变得极为困难。DDR4需要彻底改变这种情况，让频率上升变得更容易。在工艺一定的情况下，频率上升带来的问题也很麻烦，主要是温度变高、工作稳定性降低、信号传输稳定性变差等。这些都是DDR4在高频率运作时需要解决的问题。
目前DDR4成功使用了很多新技术来保证高频率下的稳定性，比如TCSE、TCAR等，此外，DDR4采用了全新的点对点总线，内存设计上使用了3DS技术，随着工艺的进一步进化，DDR4将能够运行在更高的频率上，为未来的计算释放出强大的数据带宽。
内部的“ 多通道”—Bank Group
在DDR4之前所有的DDR内存中，都没有使用如此大胆的创新设计。DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，继承于GDDR5的Bank Group设计就应运而生了
为了说清楚Bank Group的意义，还得说一些题外话。比如内存的I/O速度和芯片存取速度（实际上这样描述并不足够严谨，但分开来说的确更容易理解）。
将内存拆开来看，实际上内存就是一个自带运输能力的仓库。仓库本身的存储能力和仓库的运输能力是两码事。先定义仓库的存储能力，包含两个方面：存储容量和存取速度；仓库的运输能力则定义为如何尽可能快地将数据传输到外部。
如果要建立一个高速的仓库，需要同时满足两个方面的条件：首先是仓库本身将货物从库房中存取的速度要足够快，其次是这些货物可以很快地运输到外部。在DDR上，使用了2bit预取，相当于库房每次可以存取2件货物，同时DDR数据总线可以同时存或者取货物（SDRAM同时间内只能发或者收，因此相对速度慢了一倍）。在DDR3上，仓库运输能力随着频率而大幅度提升，以DDR31600为例，仓库的运输速度（I/O总线时钟频率）达到了800MHz，每个时钟周期可以同时收发数据，恰好满足仓库本身200MHz、8n预取带来的1600MT/s数据流量。
继续提升仓库的存取速度遇到了难题，预取在已经达到8 n的情况下难以进一步提升。业内专家想出了新的办法：针对目前一个仓库只配备一个内部存取中心的做法，如果将一个大仓库分拆开来，分为两个或者四个小仓库，为每个小仓库都配备一个内部存取中心的话，会怎么样？当数据来临时，会被分为两份或者四份分别存入这四个小仓库，这相当于直接将速度提升了两倍到四倍之多。
GDDR 5就是这样做的。它在内部设计了Bank Group架构，每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。
如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。与之而来的代价是内存内部设计上的复杂性增加，但好处也同样明显，那就是延迟不会有太明显的提高。因为这样的技术只是将内存内部的结构做出优化设计，并没有直接提升根本的数据预取值，相当于组建了内存内部的多通道，预取值理论上和之前的设计完全一样。
事情还没结束，问题又来了：仓库本身在拆分后，仓库数据存储能力大大提高，那么运输速度呢？如果I/O总线的速度不能大幅度提升，空有仓库的运转能力但运输跟不上也是一场空。在GDDR 4上，虽然提升了预取值到8n，但是I/O总线没有彻底更新，和GDDR 3的总线相当，因此终存取速度没有什么革命性的变化，还带来了高频率和高功耗的困扰，终究功亏一篑。GDDR 5在这方面做得很出色，一条路不够就修两条，GDDR5设计了两条I/O总线，每时钟周期可以同时收发4次数据，双I/O总线带来了GDDR 5传输能力和等效频率的大幅提升。
言归正传，DDR4是怎样做的呢？DDR4也采用了Bank Group技术，内部可以支持2个或者4个Group，能够同时对这些Group进行操作。就像上文描述的那样，Bank Group带来了DDR4内部数据传输能力的大幅度提升，让DDR4在物理频率没有太大提升的情况下能大幅度提升数据存取能力。在I/O总线的配置上，目前暂时没有资料说明DDR4是否使用了类似GDDR5的双总线传输，不过很显然的一点是，DDR4频率提升的空间很大，如果没有解决I/O总线的传输问题，肯定不会有如此幅度的性能提升。
总的来看，凭借Bank Group的设计，DDR4获得了非常大的发展空间，这是技术型产品需要长期发展不可或缺的重要内容。只有在未来有持续的发展空间，DDR4才能在3～5年中对未来计算带宽提供足够支持。
点对点总线
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计。在传统的DDR 3等内存上，内存和内存控制器链接依靠的是多点分支总线（Multidropbus）。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。比如主板上往往为双通道设计四根内存插槽，每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。打个比方来说，这种设计类似于为每次只能双向通行一对汽车的道路边修建仓库，仓库直连道路，虽然每个仓库都有自己的运输车和运输能力，但道路只允许每次双向通行一对车，因此这种设计如果不停的加修仓库，只是扩大了存储能力而已，对运输能力帮助不大。
DDR 4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线。点对点总线的特性是：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于为每个仓库都设计了一条道路，有效利用了仓库本身的运输能力—换句话来说是有效利用了每个内存的位宽。点对点的优点很多，比如设计比较简单、容易达到更高的频率等。此外，之前点对点总线存在的一些问题，比如可能强制要求通道上内存容量和规格完全相同等，在当前弹性内存多通道技术的发展下，已经不太可能影响DDR4内存的使用，未来用户有很大可能依旧可以在不同的通道上配置不同规格的内存，即能节约投资又能提高性能。
说起提高性能，点对点内存对带宽的提高是极为明显的。得益于工艺的进步和点对点内存控制器相对不复杂的设计，未来民用PC中支持DDR 4的产品可能使用四通道点对点内存控制器。这就意味着内存插得越多，带宽越大、性能越强。未来的主板上依旧是四条内存插槽，但它们的分布方式可能改成左右各两条（线路等长问题），同时通道数和大带宽数都已经翻倍（4通道，256bit）。以DDR 43200计算，在4通道的情况下，可以提供约102.4GB/s（3200×64×4÷8）的带宽，远远超出目前25G B/s左右的带宽，即使是普通的双通道，带宽也高达52.2GB/s，也超出目前主流水平100%还多。
当然，点对点的优势很多，不过并不意味着十全十美。它的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。
为了解决容量难题，DDR4采用了两种办法来应对：
第一种办法是增大每根内存的容量。除了使用更先进工艺降低内存颗粒的面积、在PCB上布置更多内存芯片外，DDR4还打算在内存生产中启用堆叠芯片技术，这项技术被称为“3DS”。有关3DS技术的内容，后文还有详细的描述。
第二种办法是设置多个Digital Switch，通过这些Digital Switch挂接更多的内存来实现更大容量。Digital Switch实际上相当于一个采用了多点分支总线的内存控制器，通过在总线上挂接更多的内存来实现更高容量。只不过传统的内存控制器链接的是CPU核心，而Digital Switch链接的是点对点内存控制器。使用Digital Switch挂接4条内存的话，内存容量就可以在通道数维持不变的情况下翻两番，应该能解决用户对内存容量的需求。由于Digital Switch实现成本比较高，因此这种办法主要在服务器中采用，民用级市场上应该不太可能会出现。
叠起来，更大容量
为了彻底解决单条内存容量限制，DDR4准备启用堆叠封装来增大单颗芯片的容量，这也是DDR4内存中关键的技术之一。这项技术在DDR4中被称作3DS（3-Dimensional Stack）。
堆叠技术可以大大提高芯片容量，但与此同时带来了散热等问题，DDR4在这方面应该早有准备！
堆叠封装后，DDR4多层DR A M实际上只有一个被系统控制，其余的是隐藏在背后的，只起到增大容量的作用。
堆叠封装在目前的技术下，高可以让单条内存容量达到64GB。
实际上堆叠封装技术并不神秘，在当前就有一些类似应用。比如手机芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积—堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠；另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。
所谓硅穿孔，顾名思义，就是芯片上存在很多孔洞。硅穿孔的生产方式和目前的多层PCB工艺有异曲同工之妙，多层PCB电路板生产中，为了保证PCB层间的电信号传输，在PCB上往往会开通不同类型的孔，比如埋孔、穿孔等，这些孔之间使用导线连接，使得电信号能在PCB不同的绝缘层之间传输。硅穿孔技术与之类似，它首先在硅片上钻出小孔（根据不同工艺分又为先孔和后孔，加工方式可以使用蚀刻也可以用激光打孔），然后填入金属联通孔洞。经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。从宏观意义上来说，硅穿孔是晶体管布局3D化和空间化技术尚未成熟之前，减少芯片占地面积，提高晶体管密度并延缓摩尔定律的有效手段。
在DDR4中，采用硅穿孔后的多层芯片中，只有一个主DRAM，其余的都是从DRAM（多可以叠加7层，加上主DRAM共8层）。芯片在工作时，只面向主DRAM，系统就像操作单层芯片那样操控所有的堆叠芯片。从DRAM是被隐藏起来不在系统中出现的，唯一证明其存在的证据就是容量。此外，所有的芯片都使用统一的连接界面和PCB以及内存控制器相连。实际上这样的组织方式类似于“片上分支总线”，但结构设计更为简单和直接。
根据JEDEC的说明，在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），未来DDR4大可以达到64GB，甚至128GB，彻底解决了点对点总线容量不足的问题。另外，即使堆叠层数没有那么多，DDR4内存在4层堆叠的情况下也至少可以达到单条32GB，双通道64GB，基本可以满足未来三、五年左右的内存容量需求了。
稳定性设计
高频率、高密度等设计在带来DDR4强大性能的同时，也对DDR4本身的信号稳定性和功耗情况提出了严峻挑战。实际上，根据JEDEC的官方资料， DR4内存为重要的部分就是功耗优化，其余几个重要目标分别是性能优化、信号和可靠性优化。
首先来看功耗方面的内容。DDR4内存采用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，温度补偿自动刷新，和T CSE类似）、DBI（Data Bus Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换操作）等新技术。这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。当然，作为新一代内存，降低功耗直接的方法是采用更新的制程以及更低的电压。目前DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。
根据一些测试资料，在同为1866MHz的等效频率、2GB容量的情况下，DDR4的总功耗大约是439毫瓦，不但低于DDR3的687毫瓦，也低于DDR3L的612毫瓦；在2133MHz的等效频率下，DDR4的功耗为488毫瓦，远远低于DDR3的763毫瓦，也比DDR3L的660毫瓦还要低很多。这说明在工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下，DDR4的功耗表现是非常出色的。
除了功耗外，DDR4的信号稳定性也值得重视。目前已知的DDR4采用了诸如CRC（Cyclic Redundancy Check，循环冗余校验，用于实时校验错误）、CAParity（CMD ADDRParity，CA对等，用于检查命令和地址总线是否有错）、PAD（Per DRAM Addressability，用于校验总线功能）等多种技术确保信号完整性。
总的来看，DDR4在功耗控制和信号控制技术上比较成熟，使用的都是目前已经有广泛应用的现成技术。这些技术控制了DDR4功耗、确保了信号稳定性的同时，也为DDR4能够在高频率下稳定运行立下了汗马功劳。
未来的绝对主力
DDR4既然如此优秀，那么什么时候才能用到它呢？这个问题需要分两个方面来看：
一方面是DDR4本身。根据镁光等厂商的资料，DDR4从2013年开始试生产并开始正式出货，2014年开始大面积生产。在2016年左右，DDR4将会彻底取代DDR3成为主流产品，届时DDR4的市场占有率应该超过50%（DDR3应该还有约1/3的市场占有率）。现在，用户已经可以在镁光、三星等DRAM厂商的页面上查询到有关DDR4产品的相关信息和参数了，镁光甚至已经开始销售DDR4内存颗粒。
另一方面就是平台支持情况了。目前英特尔和AMD都没有明确的信息表示将在何时开始使用DDR4。一些消息表明英特尔下一代顶级平台Haswell-EX将开始初步支持DDR4内存，不过不太清楚是独占式支持DDR4还是DDR4和DDR3都会支持。AMD方面APU应该对带宽更饥渴，DDR4的出现会让APU的性能得到巨大的提升，但目前依旧缺少AMD支持DDR4的消息。估计来看，英特尔很可能在2014年首先在新的移动平台上宣布对DDR4的支持，AMD也应该差不多在同一时间开始支持DDR4，在2015年将有希望看到DDR4产品的大爆发。
除了上市情况外，DDR4本身的发展情况也值得关注。根据镁光的路线图，DDR4内存在2013年首先推出DDR4 1866、DDR4 2133的规格，随着时间发展会在2015年延伸至DDR4 2667，在2016年还有可能更高。不过这份路线图显得较为保守，据其他方面的消息，DDR4在进入成熟期（2015年之后），很可能快速发展出高频版本，玩家级别的产品会使用到DDR4 3200乃至更高，终可以达到DDR4 4266等高规格。
总的来看，未来的DDR4发展在JEDEC标准支持以及各大DRAM厂商的护持下，肯定是一帆风顺的。AMD英特尔等平台厂商绝不会也没有理由阻碍DDR4的发展。因为DDR4将会显而易见带来PC行业的又一波升级热潮。除此之外，SO-DIMM的DDR4版本以及DDR4在移动平台上的应用都会引发新的销售和技术升级狂潮，超高带宽带来的不仅仅是更快的使用速度，对厂商来说还有更多的金钱和利润，前景完全可期。
DDR4使用了大量技术降低功耗，其中重要的就是电压调整到1.2V。
Tips：数据预取在DDR发展中的作用
内存发展到SDRAM末期，出现了RDRAM和DDR的路线之争。RDR AM的技术核心是串行，DDR的技术核心是数据预取。由于DDR在成本和专利上的优势，市场终选择了DDR。从这一刻开始，数据预取就成为DDR发展的核心因素。
在传统的SDRAM中，每次读取只能操作一个数据。DDR扩大了缓存区，改进了读写设计，将每次读取操作的数据数量由1个变成2个（一般记为2n）。比如同为100MHz，SDRAM在64bit下每秒可以移动0.8GB/s（100×64÷8=800MB/s）的数据，DDR在100MHz、64bit位宽下每秒可移动的数据量就会直接提升到1. 6GB/s（100×64×2÷8=1600MB/s），它的等效频率（等效频率是假定预取依旧是1n的情况下，DDR相当于SDRAM的频率，也叫做名义频率），也就是表面上的数据直接提升了一倍。虽然这看起来很完美，但增加数据预取带来的问题也比较明显——由于读写操作需要准备的数据更多，延迟变得更长。在延迟的影响处于可控范围内、没有让带宽带来增益变成减损之前，继续增大数据预取依旧是DDR发展的重要手段。
因此，在第二代DDR内存也就是DDR2上，数据预取被提高到了4n，在100MHz实际频率、64bit带宽下，DDR2的位宽达到了3.2GB/s（100×64×4÷8=3200MB/s）,等效频率是DDR2 400。DDR3则继续提升数据预取至8n，依旧是100MHz，64bit的环境下，DDR3的带宽提升到6.4GB/s（100×64×8÷8=6400MB/s），等效频率是DDR3 800。当然实际发展中由于工艺进步，内存实际的频率并不会总是停滞在100MHz，也出现了诸如133MHz、166MHz、200MHz甚至266MHz的内存，在DDR3上，他们的名义频率分别是DDR3 1066、DDR3 1333、DDR3 1600、DDR3 2133。
在新的DDR4上，数据预取并没有继续增大。原因可能有以下几点：首先，从8n增加到16n的难度比较大，技术设计上存在很大问题；其次，延迟已经开始显示出更为严重的影响了，甚至带宽提高已经难以抵抗延迟带来的负面影响；第三，可能存在比较明显的发热、频率提升的难题。在放弃提升预取值后，DDR4是否就变得乏善可陈了呢？显然不是这样。以GDDR5为例，GDDR5和DDR3在数据预取上都是8n，但是GDDR5采用了特殊的双总线设计，4组Bank Group，双总线对4组Bank Group进行轮流读写操作（相当于在内部组建了个四路并行的模块）。再加上一些专门降低功耗、提高频率的方案，终GDDR5能够达到GDDR5 6000这样惊人的等效频率，DDR4也采用了类似的Bank Group技术，再加上全新的点对点传输、大量的功控制和信号完整性控制技术，依旧呈现出极为优异的发展态势。
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